具有InGaN电子减速层的VCSEL激光器
基本信息
| 申请号 | CN202123147411.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN216929168U | 公开（公告）日 | 2022-07-08 |
| 申请公布号 | CN216929168U | 申请公布日 | 2022-07-08 |
| 分类号 | H01S5/183（2006.01）I;H01S5/343（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 田康凯;贾兴宇;张紫辉;张勇辉 | 申请（专利权）人 | 天津赛米卡尔科技有限公司 |
| 代理机构 | 天津知晓邦知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 300400天津市北辰区双口镇河北工业大学科技园5号楼8-806 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种具有InGaN电子减速层的VCSEL激光器，包括衬底、缓冲层、氮化物外延DBR、N‑型半导体传输层、N‑型InGaN电子减速层、多量子阱层、P‑型电子阻挡层、P‑型半导体传输层、P‑型重掺杂半导体传输层、电流限制孔、电流扩展层、介质DBR、P型欧姆电极；N‑型半导体传输层、N‑型InGaN电子减速层、多量子阱层、P‑型电子阻挡层、P‑型半导体传输层、P‑型重掺杂半导体传输层、电流扩展层形成有台肩，台肩的底部延伸至N‑型半导体传输层，暴露的N‑型半导体传输层上设有N型欧姆电极；本申请实现对电子的阻挡效应，限制电子从MQWs中泄露，促进空穴注入与其发生辐射复合，通过InGaN的插入，会引入势垒，提高辐射复合速率，提高VCSEL光输出功率和光电转换效率，从而提高器件的性能。 |
