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具有侧壁场板的发光二极管器件结构及其制备方法

基本信息

申请号 CN202010231630.5 申请日 -
公开（公告）号 CN111403566A 公开（公告）日 2020-07-10
申请公布号 CN111403566A 申请公布日 2020-07-10
分类号 H01L33/06(2010.01)I 分类 -
发明人 张紫辉;楚春双;张勇辉;杭升 申请（专利权）人 天津赛米卡尔科技有限公司
代理机构 天津市北洋有限责任专利代理事务所 代理人 王丽
地址 300385天津市西青区经济技术开发区赛达新兴产业园C座7层707室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种具有侧壁场板的发光二极管器件结构及其制备方法。侧壁场板结构由绝缘层和覆盖于绝缘层上的阳极电极构成；绝缘层覆盖于发光二极管台面中的电流扩展层、空穴传输层、电子阻挡层和有源区的侧壁及电子传输层的上表面；发光二极管台面中电子阻挡层到电流扩展层侧壁的绝缘层宽度为0.001～1μm，电子传输层上表面的绝缘层的宽度大于电子阻挡层到电流扩展层的侧壁的绝缘层宽度；利用侧壁场板结构耗尽发光二极管器件边缘载流子，降低器件边缘处载流子浓度的特点，可以减弱器件边缘部位的非辐射复合，使整个器件的载流子得到有效地利用，最终实现发光二极管器件尤其是小尺寸发光二极管器件的光功率的提升。