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一种具有侧壁场板的凸型栅增强型GaN基HEMT器件结构

基本信息

申请号 CN202122375051.0 申请日 -
公开（公告）号 CN215988772U 公开（公告）日 2022-03-08
申请公布号 CN215988772U 申请公布日 2022-03-08
分类号 H01L29/778（2006.01）I;H01L29/40（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 田康凯;贾兴宇;刘亚津 申请（专利权）人 天津赛米卡尔科技有限公司
代理机构 天津知晓邦知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 曹元媛
地址 300400天津市北辰区双口镇河北工业大学科技园5号楼8-806
法律状态 -

摘要

摘要 本申请提供一种具有侧壁场板的凸型栅增强型GaN基HEMT器件，包括衬底，衬底上依次设有缓冲层、沟道层，沟道层为凸台型，凸台的顶部和下部平面上设有势垒层，凸台的外侧和势垒层的上部设有栅介质层，凸台顶部的栅介质层和凸台外侧的栅介质层的外侧设有栅电极，凸台下部平面两侧设有源漏电极与势垒层相连；本实用新型利用沟道层材料体系的非极性面实现2DEG沟道的阻断，实现了常关型操作，且器件阈值电压具有较好的重复性和均匀性；采用半绝缘GaN作为沟道层，当HEMT处于关断状态时，漏电流极小且可承受较大的电压而不击穿；本实用新型可操作性强，成本低，工艺简单可靠，适于工业上的推广使用。