一种降低侧壁缺陷复合的Micro-LED芯片结构
基本信息
| 申请号 | CN202022598639.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213304155U | 公开（公告）日 | 2021-05-28 |
| 申请公布号 | CN213304155U | 申请公布日 | 2021-05-28 |
| 分类号 | H01L33/14(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 寇建权 | 申请（专利权）人 | 天津赛米卡尔科技有限公司 |
| 代理机构 | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人 | 王丽 |
| 地址 | 300385天津市西青区经济技术开发区赛达新兴产业园C座7层707室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种降低侧壁缺陷复合Micro‑LED芯片结构，在传统Micro‑LED芯片结构基础之上，P型重掺杂半导体材料层仅位于P型半导体材料层上方中间区域；N型材料传输层完全覆盖P型半导体材料层和P型重掺杂半导体材料露出层；N型材料传输层与部分P型半导体材料层直接接触。所述的芯片结构P型半导体材料层边缘暴露部分的面积占其总面积的1％～80％。利用N型材料传输层与P型半导体材料层在接触界面处形成的反偏结，耗尽P型半导体材料层中的空穴，从而减小芯片侧壁区域的非辐射复合效应，同时还能够提高注入电流的横向限制作用，以此来减小显示像素点之间的光学串扰效应。 |
