一种具有电子注入层的深紫外发光二极管外延结构及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011479928.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112490336A | 公开（公告）日 | 2021-03-12 |
| 申请公布号 | CN112490336A | 申请公布日 | 2021-03-12 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 寇建权 | 申请（专利权）人 | 天津赛米卡尔科技有限公司 |
| 代理机构 | 天津创信方达专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 李京京 |
| 地址 | 300385天津市西青区西青经济技术开发区赛达新兴产业园C座7层707室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明为一种具有电子注入层的深紫外发光二极管外延结构及其制备方法。该结构主体为沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、N‑型半导体传输层、电子注入层、多量子阱层、P‑型电流阻挡层、P‑型半导体传输层和P‑型重掺杂半导体传输层。其中，电子注入层通过AIN组分和掺杂浓度来精确调控N‑型AlGaN层内极化电场和耗尽电场，从而降低电子注入有源区时的能量，提高量子阱对电子的捕获能力，使器件性能得到大幅提升，且材料生长难度低，可重复性强。 |
