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一种金属基薄膜压敏芯片研磨抛光工艺

基本信息

申请号 CN202011569445.3 申请日 -
公开（公告）号 CN112720082A 公开（公告）日 2021-04-30
申请公布号 CN112720082A 申请公布日 2021-04-30
分类号 B24B1/00;B22D19/00;B08B3/10;G01L9/08 分类 磨削；抛光;
发明人 王国秋 申请（专利权）人 湖南启泰传感科技有限公司
代理机构 长沙智德知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 黄宇
地址 410323 湖南省长沙市浏阳市浏阳高新技术产业开发区鼎盛路22号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公布了一种金属基薄膜压敏芯片研磨抛光工艺，涉及半导体和传感器加工技术领域，包括下料、成型、研磨减薄、填充合金液、单面研磨、单面抛光、清洗、测试变形量和粗糙度、二次清洗、微电子电路加工的加工步骤。本发明的目的是提供一种金属基薄膜压敏芯片研磨抛光工艺，设计科学，工艺完善，能够解决低量程芯片基底在研磨抛光过程中，金属基薄膜压敏芯片的敏感膜片容易变形的问题，能够避免敏感膜片在单面研磨和单面研磨的过程中发生变形，从而减少金属基薄膜压敏芯片的敏感膜片粗糙度和变形量。