一种能够降低光衰的发光二极管封装结构
基本信息
| 申请号 | CN202121425228.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN215731759U | 公开（公告）日 | 2022-02-01 |
| 申请公布号 | CN215731759U | 申请公布日 | 2022-02-01 |
| 分类号 | H01L33/48（2010.01）I;H01L33/62（2010.01）I;H01L33/60（2010.01）I;H01L33/64（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 夏晓蓓 | 申请（专利权）人 | 浙江浩盈电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 嘉兴启帆专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 翁斌 |
| 地址 | 314000浙江省嘉兴市经济技术开发区城南路1369号14幢101、102室、16幢101室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种能够降低光衰的发光二极管封装结构，涉及到二极管生产技术领域，包括保护套帽，保护套帽设置为空心结构，保护套帽的内侧壁设置为弧形，保护套帽的内侧壁粘接连接有反射层，保护套帽的上端内壁设置为凸起状，保护套帽的下端固定连接有连接板，连接板的中部贯穿开设有定位孔，定位孔的内腔与保护套帽的内腔连通，定位孔的内侧壁倾斜设置。本实用新型通过将保护套帽的内侧壁设置为弧形，保护套帽的内侧壁粘接连接有反射层，从而能够减少光线在保护套帽内侧壁的反射次数，降低光衰程度，导热压板位于安装槽的内腔并卡在引线架的中部外侧，从而避免引线架中部的芯片长时间工作产生热量堆积而导致光衰变大。 |
