一种埋芯流程后置的集成电路封装方法及封装结构
基本信息
| 申请号 | CN201811401833.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109659239B | 公开（公告）日 | 2021-05-18 |
| 申请公布号 | CN109659239B | 申请公布日 | 2021-05-18 |
| 分类号 | H01L21/48;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/367;H01L23/498 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈先明;冯磊;周勇胜 | 申请（专利权）人 | 南通越亚半导体有限公司 |
| 代理机构 | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陈慧华;洪铭福 |
| 地址 | 519175 广东省珠海市斗门区乾务镇富山工业区方正PCB产业园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种埋芯流程后置的集成电路封装方法及封装结构。本发明一方面采用先增层制作多层板、再蚀刻槽体以嵌入主动和/或被动器件，再进行填封处理的工艺步骤，有效简化了制作工艺流程；第二方面，本发明兼容引线键合与倒装键合的优势，并且取消引线键合、倒装键合中的金属线或锡铅球，降低了生产成本；第三方面，通过在封装内嵌入主动和/或被动器件并与封装材料无缝连接，改善电性能和提高芯片散热性能，能够实现缩减封装体积，缩短通向外界的连接，使封装的尺寸变得更加轻薄。本发明可广泛应用于各种集成电路封装。 |
