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一种嵌埋封装结构及其制造方法

基本信息

申请号 CN202110294274.6 申请日 -
公开（公告）号 CN113130420A 公开（公告）日 2021-07-16
申请公布号 CN113130420A 申请公布日 2021-07-16
分类号 H01L23/31;H01L25/065;H01L21/56 分类 基本电气元件;
发明人 陈先明;冯磊;黄本霞;宝玥;王闻师 申请（专利权）人 南通越亚半导体有限公司
代理机构 北京风雅颂专利代理有限公司 代理人 李翔;鲍胜如
地址 226000 江苏省南通市港闸区福禧路349号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种多层嵌埋封装结构，包括第一介电层和在第一介电层上的第二介电层，第一介电层包括第一布线层，第二介电层包括沿高度方向贯穿第二介电层的第一铜柱层和器件放置口框以及在第一铜柱层上的第二布线层，在第二布线层上设置有第二铜柱层，第一布线层和第二布线层通过第一铜柱层导通连接，其中在器件放置口框的底部贴装有第一器件，使得第一器件的端子与第一布线层导通连接，在第二介电层上贴装有第二器件，使得第二器件的端子与第二布线层导通连接，在第二铜柱层的端部贴装有第三器件，使得第三器件的端子与第二铜柱层导通连接。还公开了一种多层嵌埋封装结构的制造方法。