一种冷光片介电层的组织结构及介电层制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201711045625.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107645808B | 公开（公告）日 | 2019-08-16 |
| 申请公布号 | CN107645808B | 申请公布日 | 2019-08-16 |
| 分类号 | H05B33/22;H05B33/10 | 分类 | 其他类目不包含的电技术; |
| 发明人 | 张慧;任晓更;张健;宋国祥;张红文 | 申请（专利权）人 | 中普融创（北京）投资管理有限公司 |
| 代理机构 | 宁波鄞州全方专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 北京星箭长空测控技术股份有限公司 |
| 地址 | 056360 河北省石家庄市辛集市北区古城大街北侧、锦绣街南侧、宴西路东侧名品服装制造区28号厂房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种冷光片介电层的制备方法，其中，包括如下步骤：A、制备FeNi3合金亚微米球的步骤；B、对FeNi3合金亚微米球进行SiO2介电壳层包覆形成核壳结构的步骤；C、旋涂法制备介电层的步骤。本发明的优点为配比简单，制作方法简单，制得的介电层介电性能好，且微纳米颗粒无团聚现象，发光均匀。 |
