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一种调节扩散气氛的一次扩散工艺

基本信息

申请号 CN201711057793.0 申请日 -
公开（公告）号 CN109755113B 公开（公告）日 2021-08-10
申请公布号 CN109755113B 申请公布日 2021-08-10
分类号 H01L21/22;H01L21/225;H01L21/324 分类 基本电气元件;
发明人 黄志焕;李亚哲;梁效峰;王浩;徐长坡;陈澄;杨玉聪;王晓捧 申请（专利权）人 TCL环鑫半导体（天津）有限公司
代理机构 天津诺德知识产权代理事务所（特殊普通合伙） 代理人 栾志超
地址 300380 天津市西青区华苑产业区（环外）海泰东路12号A座二层
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种调节扩散气氛的一次扩散工艺，包括将涂源后的硅片设于扩散炉中按照扩散曲线进行扩散，在扩散过程中通入一定比例的氮气和氧气。本发明的有益效果是由于采用上述技术方案，通过调节硅片在扩散过程中，尤其是升温过程中氮气与氧气的比例来控制硅片扩散后结深、TRR、硅片表面方块电阻以及后道的正向电压的测试结果，使得硅片更加满足不同使用需求，使得硅片的结深、TRR、硅片表面方块电阻以及后道的正向电压的数值可以有效控制，已得到需要的硅片，使得硅片扩散操作性高，简单方便。