一种单向TVS芯片玻钝前二次扩散工艺
基本信息
| 申请号 | CN201711057754.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109755112B | 公开（公告）日 | 2021-09-07 |
| 申请公布号 | CN109755112B | 申请公布日 | 2021-09-07 |
| 分类号 | H01L21/22;H01L21/225;H01L29/861;H01L21/328 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 梁效峰;徐长坡;陈澄;杨玉聪;李亚哲;黄志焕;王晓捧;王宏宇;王鹏 | 申请（专利权）人 | TCL环鑫半导体（天津）有限公司 |
| 代理机构 | 天津诺德知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 栾志超 |
| 地址 | 300380 天津市西青区华苑产业区（环外）海泰东路12号A座二层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种单向TVS芯片玻钝前二次扩散工艺，该方法包括如下步骤：S1磷扩散，对硅片表面预沉积磷扩散源并扩散；S2硼扩散，以印刷的方式涂布在所述硅片的待扩硼面涂硼源并扩散；S3制绒，使得硅片表面的粗糙度增加，为硅片后续玻钝工艺中保护胶的涂覆提供涂覆基础。本发明的有益效果是采用丝网印刷工艺在硅片待扩硼面印刷硼扩散源，使得硅片液态源的涂覆流程得到简化，加工周期缩减；液态源涂覆后采用负压扩散工艺，减轻硅片边缘返源情况，扩散工艺步骤简化，提高了扩散效率；制作的PN结均匀，使得硅片的加工成本降低。 |
