一种GPP玻钝工艺方法
基本信息
| 申请号 | CN201710615708.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109309018B | 公开（公告）日 | 2021-10-08 |
| 申请公布号 | CN109309018B | 申请公布日 | 2021-10-08 |
| 分类号 | H01L21/56;H01L21/268;H01L21/306 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王晓捧;王彦君;孙晨光;徐长坡;陈澄;武卫;梁效峰;王宏宇;杨玉聪;史丽萍;徐艳超;陈亚彬 | 申请（专利权）人 | TCL环鑫半导体（天津）有限公司 |
| 代理机构 | 天津诺德知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 栾志超 |
| 地址 | 300380 天津市西青区华苑产业区（环外）海泰东路12号A座二层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种GPP玻钝工艺方法，步骤包括：S1、印刷保护层，以便在后续沟槽腐蚀时对硅片的无需腐蚀部分进行保护；S2、沟槽开槽：对硅片进行开槽处理，使开槽程度达到GPP芯片的要求；S3、LPCVD‑poly：槽内进行Poly生长，使电参数更稳定；S4、印刷钝化层：采用印刷钝化层的方式使开槽完成的硅片钝化；S5、烧成：经过高温将钝化层中玻璃粉固化，最终达到钝化的效果。本发明相较于原工艺的有益效果是缩短工艺流程、提高GPP性能、提高生产效率。 |
