一种沟槽式肖特基正面银表面金属结构的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201710669358.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109390231B | 公开（公告）日 | 2021-10-08 |
| 申请公布号 | CN109390231B | 申请公布日 | 2021-10-08 |
| 分类号 | H01L21/324（2006.01）I;H01L21/321（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I;H01L21/285（2006.01）I;H01L29/47（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘晓芳;王彦君;孙晨光;徐长坡;王万礼;张新玲;刘丽媛;董子旭;杜宏强;刘闯;张晋英;刘文彬;乔智;印小松;张娇 | 申请（专利权）人 | TCL环鑫半导体（天津）有限公司 |
| 代理机构 | 天津诺德知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 栾志超 |
| 地址 | 300384天津市西青区华苑产业区（环外）海泰东路12号A座二层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种沟槽式肖特基正面银表面金属结构的制造方法，该方法包括如下步骤：a.在硅片上形成势垒金属层，形成硅片‑势垒金属结构；b.对硅片‑势垒金属结构进行第一次热处理；c.在势垒金属层上形成第一金属层，形成硅片‑势垒金属‑第一金属层结构；d.对硅片‑势垒金属‑第一金属层结构进行第二次热处理；e.在第一金属层上淀积第二金属层。本发明采用合适的金属薄膜厚度和合金条件，采用在钛镍银前进行金属合金，可避免产品的表观异常；采用两次光刻和两次腐蚀多层金属薄膜的方法，可使金属腐蚀形貌稳定，利于产品可靠性的提高；此工艺与现有的常规工艺兼容，无需专用的设备和引入新的光刻胶。 |
