一种硅片镀镍银的工艺
基本信息
| 申请号 | CN201710615643.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109306481B | 公开（公告）日 | 2021-08-10 |
| 申请公布号 | CN109306481B | 申请公布日 | 2021-08-10 |
| 分类号 | C23C18/34;C23C18/42;C23C18/18 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 梁效峰;王彦君;孙晨光;徐长坡;陈澄;武卫;王鹏;杨玉聪;韩义胜;王浩;尚杰;丁成 | 申请（专利权）人 | TCL环鑫半导体（天津）有限公司 |
| 代理机构 | 天津诺德知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 栾志超 |
| 地址 | 300380 天津市西青区华苑产业区（环外）海泰东路12号A座二层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种硅片镀镍银的工艺，包括预处理：硅片表面清洗，硅片表面原子活化；一次镀镍：在硅片表面镀一次镍；镍烧结：镍层与硅层相互结合；二次镀镍：在硅片表面镀二次镍；镀银；在硅片表面镀银。本发明的有益效果是二次镀镍可以有效地增加镍层与硅层的结合力，镀银有效的防止镍层氧化，镀镍银可以使硅片与焊膏结合力更强，采用硝酸银为镀银液，在生产、运输和储存过程中更加安全可靠，节约了生产成本，镀镍银工艺具有生产成本低，可靠性强，硅片的使用寿命长的优点。 |
