一种片上变压器及其制作工艺
基本信息
| 申请号 | CN202110873025.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113517111A | 公开（公告）日 | 2021-10-19 |
| 申请公布号 | CN113517111A | 申请公布日 | 2021-10-19 |
| 分类号 | H01F21/04（2006.01）I;H01F41/04（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 罗卫军;王万礼;张荣华;张新玲;张俊芳 | 申请（专利权）人 | TCL环鑫半导体（天津）有限公司 |
| 代理机构 | 天津诺德知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 栾志超 |
| 地址 | 300384天津市滨海新区华苑产业区（环外）海泰东路12号A座二层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种片上变压器，包括初级线圈和次级线圈，初级线圈和次级线圈均包括多层金属层；所有金属层沿初级线圈和次级线圈高度方向叠放设置；每一金属层均包括若干个独立且结构相同的金属圈；金属圈被配置为从内向外扩散设置的螺旋形结构；初级线圈中的最上层的金属层被配设有N个输入端；次级线圈中的最上层的金属层具有（N+1）个输出端，其中，N为整数；信号经输入端进入后再从输出端输出。本发明还提出用于制备上述片上变压器的制作工艺。本发明耦合面积大且占用面积小，并同时适用于半桥式或全桥式的DC‑DC转换器，通过升压、降压或等压进行调节实现任意比例的输出，平衡电阻并降低在线圈中的寄生效应。 |
