一种硅片玻钝前液态源扩散工艺
基本信息
| 申请号 | CN201710615672.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109309142B | 公开（公告）日 | 2021-09-07 |
| 申请公布号 | CN109309142B | 申请公布日 | 2021-09-07 |
| 分类号 | H01L31/18 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李亚哲;王彦君;孙晨光;徐长坡;陈澄;武卫;梁效峰;黄志焕;杨玉聪;李丽娟;钟瑜 | 申请（专利权）人 | TCL环鑫半导体（天津）有限公司 |
| 代理机构 | 天津诺德知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 栾志超 |
| 地址 | 300380 天津市西青区华苑产业区（环外）海泰东路12号A座二层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种硅片玻钝前液态源扩散工艺，包括如下步骤：对双面减薄后放入硅片扩散前处理，处理后的硅片进行印刷扩散源，采用丝网印刷工艺对处理后的硅片一面印刷磷扩散源，另一面印刷硼扩散源或硼铝扩散源；将硅片相同扩散源的面相对进行叠片装舟；在扩散炉内进行低压扩散并进行扩散后处理，扩散后处理后进行硅片表面制绒。本发明的有益效果是采用丝网印刷工艺在硅片两面分别印刷磷扩散源、硼扩散源或硼铝扩散源，使得硅片液态源的涂覆流程得到简化，加工周期缩减；液态源涂覆后采用一次负压扩散工艺，减轻硅片边缘返源情况，扩散工艺步骤简化，提高了扩散效率；制作的PN结均匀，使得硅片的加工成本降低。 |
