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一种无蚀刻痕的电容屏Sensor制作方法

基本信息

申请号 CN201310302064.2 申请日 -
公开（公告）号 CN103365520B 公开（公告）日 2016-01-27
申请公布号 CN103365520B 申请公布日 2016-01-27
分类号 G06F3/044(2006.01)I 分类 计算；推算；计数;
发明人 唐桂昌 申请（专利权）人 成都三利亚科技有限公司
代理机构 成都蓉信三星专利事务所（普通合伙） 代理人 四川世创达电子科技有限公司;成都三利亚科技有限公司
地址 610500 四川省成都市新都工业区东区
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种无蚀刻痕的电容屏Sensor制作方法，包括（1）导电薄膜烘烤缩水，（2）电极处导电层蚀刻：采用酸刻或蚀刻膏蚀刻的方式，将导电薄膜需要布设电极区域的导电层蚀刻掉，（3）在已蚀刻区域布设电极，（4）将布设好电极的导电薄膜置于烤箱进行烘烤，（5）导电层中央蚀刻出Pattern。本发明改变了现有制作电容屏Sensor的步骤，将原来的导电薄膜→烘烤缩水→导电层蚀刻形成Pattern→电极制作(涉及烘烤)中，制作电极的步骤提前，Pattern的制作提后，这样Pattern制作后，不再经过高温烘烤，而避免了基材形变与导电层形变的不同，水波纹也随之消除。