一种无蚀刻痕的电容屏Sensor制作方法

基本信息

申请号 CN201310302064.2 申请日 -
公开(公告)号 CN103365520A 公开(公告)日 2013-10-23
申请公布号 CN103365520A 申请公布日 2013-10-23
分类号 G06F3/044(2006.01)I 分类 计算;推算;计数;
发明人 唐桂昌 申请(专利权)人 成都三利亚科技有限公司
代理机构 成都蓉信三星专利事务所(普通合伙) 代理人 四川世创达电子科技有限公司;成都三利亚科技有限公司
地址 610500 四川省成都市新都工业区东区
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种无蚀刻痕的电容屏Sensor制作方法,包括(1)导电薄膜烘烤缩水,(2)电极处导电层蚀刻:采用酸刻或蚀刻膏蚀刻的方式,将导电薄膜需要布设电极区域的导电层蚀刻掉,(3)在已蚀刻区域布设电极,(4)将布设好电极的导电薄膜置于烤箱进行烘烤,(5)导电层中央蚀刻出Pattern。本发明改变了现有制作电容屏Sensor的步骤,将原来的导电薄膜→烘烤缩水→导电层蚀刻形成Pattern→电极制作(涉及烘烤)中,制作电极的步骤提前,Pattern的制作提后,这样Pattern制作后,不再经过高温烘烤,而避免了基材形变与导电层形变的不同,水波纹也随之消除。