GaNMOS管的驱动电路
基本信息
| 申请号 | CN202121326653.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214850956U | 公开（公告）日 | 2021-11-23 |
| 申请公布号 | CN214850956U | 申请公布日 | 2021-11-23 |
| 分类号 | H02M1/08（2006.01）I | 分类 | 发电、变电或配电; |
| 发明人 | 钟卫国 | 申请（专利权）人 | 深圳诺倍能电子技术有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市壹壹壹知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 阮帆 |
| 地址 | 518000广东省深圳市南山区粤海街道滨海社区高新南九道99号A8音乐大厦2205 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型实施例公开了一种GaN MOS管的驱动电路，包括PWM驱动芯片、磁珠、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R6、电容C1、二极管D1，PWM驱动芯片的Drv脚通过依次串联的电阻R2、磁珠、电阻R3连接GaN MOS管的G极，PWM驱动芯片的Cs脚通过电阻R4连接GaN MOS管的S极；电容C1与电阻R2并联；二极管D1和电阻R1串联后与磁珠、电阻R3相并联；GaN MOS管的S极通过电阻R6接地。本实用新型器件少，安全可靠，占板面积少，成本低，性价比高，调试简单。 |
