一种铝酸锂晶体的生长方法
基本信息
| 申请号 | CN200710073268.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101054725A | 公开（公告）日 | 2007-10-17 |
| 申请公布号 | CN101054725A | 申请公布日 | 2007-10-17 |
| 分类号 | C30B29/22(2006.01);C30B15/00(2006.01) | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 陈盈君 | 申请（专利权）人 | 深圳市淼浩高新科技开发有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 518102广东省深圳市宝安区宝安桃花源科技创新园0号研发中心 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种铝酸锂晶体的生长方法，用综合熔体法生长晶体，其中使用提拉法下种、收颈、放肩，在等径生长时采用泡生法和/或温梯法。本方法使用的设备和加热方式没有严格限制，通常使用一般的提拉设备；无论感应加热还是电阻加热都能使用。本方法具有提拉法，泡生法和温梯法的优点：可生长大尺寸晶体，污染少，能观察液面和晶体生长情况；还可使用原有提拉法设备。同时该工艺克服了提拉法和温梯法生长晶体的色心和位错率高的缺点，晶体质量优异，应力小，无滑移带和孪晶缺陷，位错密度低，晶体完整性和光学均匀性好，易于产业化。 |
