氮化镓层及其同质外延生长方法
基本信息
| 申请号 | CN202110048565.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112820633A | 公开（公告）日 | 2021-05-18 |
| 申请公布号 | CN112820633A | 申请公布日 | 2021-05-18 |
| 分类号 | H01L21/02;H01L29/20 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 罗晓菊;王颖慧;特洛伊·乔纳森·贝克 | 申请（专利权）人 | 镓特半导体科技（上海）有限公司 |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 史治法 |
| 地址 | 200135 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区新城路2号23幢N1128室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请具体涉及一种氮化镓层及其同质外延生长方法，包括：提供氮化镓衬底，氮化镓衬底的晶面为C晶面，或氮化镓衬底的晶面为与C晶面呈偏角α的晶面；对氮化镓衬底的边缘进行处理，以使得氮化镓衬底的边缘暴露出（1‑101）面；于氮化镓衬底的表面进行同质外延，以得到同质外延生长的氮化镓层。上述实施例中的氮化镓层的同质外延生长方法可以避免翼晶的形成，进而避免由于氮化镓衬底边缘外延生长的氮化镓层与氮化镓衬底表面外延生长的氮化镓层之间存在较大的应力及弹性变形而形成的微裂片、破片及凹坑，降低了外延生长的氮化镓层中的位错密度，提高了外延生长的氮化镓层的质量。 |
