半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011637943.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112864001A | 公开（公告）日 | 2021-05-28 |
| 申请公布号 | CN112864001A | 申请公布日 | 2021-05-28 |
| 分类号 | H01L29/20(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘仁锁;特洛伊·乔纳森·贝克 | 申请（专利权）人 | 镓特半导体科技（上海）有限公司 |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 史治法 |
| 地址 | 200135上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区新城路2号23幢N1128室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请具体涉及一种半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法，包括：提供衬底；于衬底上形成第一氮化镓层；于第一氮化镓层上形成图形化掩膜层，图形化掩膜层内具有若干个开口；于图形化掩膜层的上表面和/或开口暴露出第一氮化镓层的上表面形成碳化硅层或石墨烯层；于开口内及碳化硅层的上表面或石墨烯层的上表面形成第二氮化镓层。上述实施例中的半导体结构的制备方法中，通过先在图形化掩膜层的上表面形成碳化硅层或石墨烯层，而后再形成第二氮化镓层，可以减少位错、缺陷，改善晶体质量，使第二氮化镓层更容易从图形化掩膜层上剥离。 |
