半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110049797.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112820636A | 公开（公告）日 | 2021-05-18 |
| 申请公布号 | CN112820636A | 申请公布日 | 2021-05-18 |
| 分类号 | H01L21/02;H01L21/78;H01L29/06;H01L29/20 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王颖慧;罗晓菊;特洛伊·乔纳森·贝克 | 申请（专利权）人 | 镓特半导体科技（上海）有限公司 |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 史治法 |
| 地址 | 200135 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区新城路2号23幢N1128室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请具体涉及一种半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法，包括：包括：提供衬底；于衬底上形成图形化掩膜层，图形化掩膜层内具有若干个开口；采用氢化物气相外延工艺于图形化掩膜层的表面形成牺牲层；包括：将形成有图形化掩膜层的所述衬底置于氢化物气相外延设备中；向氢化物气相外延设备中通入包括氯化氢及氨气的反应气体，氯化氢的气体流量恒定，氨气的气体流量在预设范围内呈连续性变化；于牺牲层上形成N型掺杂厚膜氮化镓层。本申请可以使得牺牲层在刚开始外延生长时保持较高质量，并在后续外延过程中增大横向外延，减少凹坑缺陷的形成，为后续形成N型掺杂厚膜氮化镓层提供高质量少凹坑缺陷的晶种衬底。 |
