半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110049775.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112820635A | 公开（公告）日 | 2021-05-18 |
| 申请公布号 | CN112820635A | 申请公布日 | 2021-05-18 |
| 分类号 | H01L21/02;H01L21/78;H01L29/06;H01L29/20 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 罗晓菊;王颖慧;特洛伊·乔纳森·贝克 | 申请（专利权）人 | 镓特半导体科技（上海）有限公司 |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 史治法 |
| 地址 | 200135 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区新城路2号23幢N1128室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供一种半导体结构的制备方法，包括：提供衬底；于衬底上形成铟层或含铟氧化物层；于铟层或含铟氧化物层上形成氮化镓层。上述实施例中的半导体结构的制备方法中，通过先在衬底上形成铟层或含铟氧化物层，在后续在铟层或含铟氧化物层上形成氮化镓层时，生长初期由于低温和铟的迁移作用，可以使得初生长的氮化镓层为疏松结构，在需要进行剥离时便于氮化镓层与衬底的剥离；同时，上述实施例中的制备方法不需要使用工艺繁琐的掩膜技术即可以实现氮化镓层的剥离，使得工艺更加简单。 |
