半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110048589.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113161225A | 公开（公告）日 | 2021-07-23 |
| 申请公布号 | CN113161225A | 申请公布日 | 2021-07-23 |
| 分类号 | H01L21/02;H01L21/78;H01L29/06;H01L29/20 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘仁锁;特洛伊·乔纳森·贝克 | 申请（专利权）人 | 镓特半导体科技（上海）有限公司 |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 史治法 |
| 地址 | 200135 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区新城路2号23幢N1128室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请具体涉及一种半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法，包括：提供衬底；于衬底上形成二氧化硅层；于二氧化硅层的上表面形成图形化掩膜层，图形化掩膜层内具有若干个开口；于氢气及氨气的混合气氛下对所得结构进行热处理，以于开口的底部形成氮化硅层；于开口内及图形化掩膜层的上表面形成第一氮化镓层。上述实施例中的半导体结构的制备方法中，通过先在衬底上形成二氧化硅层，并进行热处理于图形化掩膜层中的开口暴露出的二氧化硅层的上表面形成氮化硅层，在形成第一氮化镓层时先于开口底部成核，氮化硅层的存在减少了晶格失配和热适配，可以提供氮化镓晶体的质量；氮化硅层的表面一般比较粗糙，更有利于第一氮化镓层成核。 |
