一种自支撑纳米针多孔金刚石的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011578946.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112760612B | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN112760612B | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | C23C16/27（2006.01）I;C23C16/511（2006.01）I;C23C16/56（2006.01）I;CN 103589999 A,2014.02.19;CN 111118471 A,2020.05.08;FR 3072565 A1,2019.04.26;CN 103334089 A,2013.10.02;JP 2010095408 A,2010.04.30;JP 2020102598 A,2020.07.02;CN 110318030 A,2019.10.11;WO 2019081683 A1,2019.05.02;CN 109911894 A,2019.06.21;CN 111254391 A,2020.06.09;JP H08133893 A,1996.05.28;US 2019314766 A1,2019.10.17 Armin Kriele et al..“Formation of nano-pores in nano-crystalline diamond films”.《Chemical Physics Letters》.2011,第253-259页.;裴晓强.CVD金刚石膜的高温氧化及其浸润性质研究.《中国优秀博硕士学位论文全文数据库（博士） 基础科学辑》.2015,A005-23.;Xiaoqiang Pei et al..“Structure and wettability property of the growth and nucleationsurfaces of thermally treated freestanding CVD diamond films”.《Applied Surface Science》.2015,第189-193页.;Ming Q. Ding et al..“A study of high-quality freestanding diamond films grown by MPCVD”.《Applied Surface Science》.2013,第5987-8991页.;T.Lamara et al..“Freestanding CVD diamond elaborated by pulsed-microwave-plasma for ZnO/diamond SAW devices”.《Diamond and Related Materials》.2013,第581-584页.;Junichi H. Kaneko et al..“Growth and evaluation of self-standing CVD diamond single crystals on off-axis （001） surface of HP/HT type IIa substrates”.《Diamond & Related Materials》.2012,第45-49页.;Yibo Ma et al..“Superhydrophilic surface of oxidized freestanding CVD diamond films: Preparation and application to test solution conductivity”.《Results in Physics》.2019,第1-5页. | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 袁晓溪;杨峰;王丹;谷开慧;田雨;张婧;徐春艳;郭泽萱;张斯淇;刘小涵 | 申请（专利权）人 | 吉林工程技术师范学院 |
| 代理机构 | 长春吉大专利代理有限责任公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 130052吉林省长春市凯旋路3050号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明的一种自支撑纳米针多孔金刚石的制备方法，属于金刚石纳米结构及其制备的技术领域。首先以高CH4与H2流量比例生长金刚石及非金刚石混合相，再调低CH4与H2流量比例生长金刚石相；去除衬底，空气中高温退火刻蚀掉非金刚石相，制备出自支撑高密度纳米针多孔金刚石。本发明通过不同CH4与H2流量比例的两次生长金刚石、去除衬底和退火刻蚀，制备了高密度纳米针多孔金刚石膜，大大增大了金刚石膜的表面积；相比于自上而下的掩膜法或等离子体刻蚀法，制备方法工艺简单，便于大规模制备。 |
