一种自支撑纳米锥金刚石的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011578907.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112779517B | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN112779517B | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | C23C16/27（2006.01）I;C23C16/511（2006.01）I;C23C16/56（2006.01）I;C23C16/01（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 袁晓溪;杨峰;曾旭;李楠;张文颖;李宏;郭明;冯悦姝;李美萱;杨璐赫 | 申请（专利权）人 | 吉林工程技术师范学院 |
| 代理机构 | 长春吉大专利代理有限责任公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 130052吉林省长春市凯旋路3050号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明的一种自支撑纳米锥金刚石的制备方法，属于金刚石纳米结构及其制备的技术领域。首先以高CH4与H2流量比例并通入氮气掺杂，生长金刚石及非金刚石混合相，形成金刚石倒锥；再调低CH4与H2流量比例生长金刚石相；去除衬底，空气中高温退火刻蚀掉非金刚石相，制备出自支撑纳米锥金刚石。本发明通过不同CH4与H2流量比例沉积生长和通入氮气有助于生长100面晶向形成倒锥，制备了高密度纳米锥金刚石，大大增大了金刚石膜的表面积；并且相比于自上而下的掩膜法或等离子体刻蚀法，制备方法工艺简单，便于大规模制备。 |
