磷硼同步一次扩散缓变结芯片的扩散工艺
基本信息
| 申请号 | CN202011471400.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113161230A | 公开（公告）日 | 2021-07-23 |
| 申请公布号 | CN113161230A | 申请公布日 | 2021-07-23 |
| 分类号 | H01L21/225（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 汪良恩;张小明;安启跃 | 申请（专利权）人 | 安徽安芯电子科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 合肥洪雷知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 徐赣林 |
| 地址 | 247000安徽省池州市经济技术开发区富安电子信息产业园10号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了磷硼同步一次扩散缓变结芯片的扩散工艺，涉及半导体器件加工技术领域。本发明主包括装舟过程、扩散过程、扩散后清洗过程、P/N两面喷砂过程，选择合适的扩散条件，所形成的扩散后基片可满足整流芯片的全部电特性的要求。本发明通过将传统工艺磷、硼二次扩散工艺合并为磷硼同步一次扩散工艺，使得工艺流程简单，生产周期短，良品率高，反向漏电流小，器件在高低温循环使用过程中寿命长，且成本降低，相较于传统工艺，能够节约三、四天，另外，采用碳化硅粉作为硼铝纸源用的分离剂，不会对磷产生吸附作业，耐高温能力（HTRB能力）相对较高，可靠性高，在缓变结扩散工艺过程中硅片不易腐蚀。 |
