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一种用于大尺寸晶圆制造的沟槽型肖特基势垒芯片

基本信息

申请号 CN202010660135.6 申请日 -
公开（公告）号 CN111883527A 公开（公告）日 2020-11-03
申请公布号 CN111883527A 申请公布日 2020-11-03
分类号 H01L27/02;H01L29/06;H01L29/872 分类 基本电气元件;
发明人 汪良恩;汪曦凌;焦世龙 申请（专利权）人 安徽安芯电子科技股份有限公司
代理机构 上海华诚知识产权代理有限公司 代理人 陈国俊
地址 247100 安徽省池州市经济技术开发区富安电子信息产业园10号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种用于大尺寸晶圆制造的沟槽型肖特基势垒芯片，所述芯片上布局有至少两个相互垂直设置的沟槽基本单元，所述沟槽基本单元包括外围沟槽、环形隔离平台和由环形隔离平台将其与所述外围沟槽隔离的有源区，所述有源区包括多列有源区沟槽、将所述多列有源区沟槽连接并封闭的连接沟槽和位于相邻的两列有源区沟槽之间并由连接沟槽封闭的有源区平台。本发明提出两种适用于八英寸或者十二英寸等大尺寸晶圆制造的沟槽型肖特基势垒芯片布局方案，以显著减小沟槽刻蚀、高温氧化及多晶淀积所致的晶圆整体型变，有利于芯片加工及良率提升。第一种方案以沟槽方向90°翻转布局为特征，第二种方案以沟槽方向360°旋转对称布局为特征。