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一种具有屏蔽氧化物的沟槽型肖特基整流器及其加工工艺

基本信息

申请号 CN202010161084.2 申请日 -
公开（公告）号 CN111341852A 公开（公告）日 2020-06-26
申请公布号 CN111341852A 申请公布日 2020-06-26
分类号 H01L29/872(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 汪良恩;焦世龙 申请（专利权）人 安徽安芯电子科技股份有限公司
代理机构 上海华诚知识产权代理有限公司 代理人 安徽安芯电子科技股份有限公司
地址 247100安徽省池州市经济技术开发区富安电子信息产业园10号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种具有屏蔽氧化物的沟槽型肖特基整流器及其加工工艺，属于肖特基器件技术领域。取一覆盖二氧化硅或氮化硅介质作为掩膜的芯片，采用干法刻蚀沟槽，淀积二氧化硅，再填充多晶，采用研磨及干法刻蚀将沟槽内多晶刻蚀掉1/3～1/2，再湿法刻蚀沟槽侧壁二氧化硅至高于沟槽内剩余多晶表面0.1～0.3μm，沟槽上部较薄层二氧化硅淀积或热氧化形成屏蔽氧化物，再淀积多晶并回刻至沟槽侧壁平台高度，最后淀积势垒金属并退火，淀积传导金属，得到具有屏蔽氧化物的沟槽型肖特基整流器，本发明用于调整反向偏置下沟槽底部拐角附近电场分布以及减小台面势垒金属‑半导体界面附近电场强度，可以进一步改善传统沟槽肖特基器件性能。