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高压硅堆二极管

基本信息

申请号 CN201320574549.2 申请日 -
公开（公告）号 CN203491256U 公开（公告）日 2014-03-19
申请公布号 CN203491256U 申请公布日 2014-03-19
分类号 H01L25/07(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L23/29(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 董志强 申请（专利权）人 海湾电子（山东）有限公司
代理机构 北京联瑞联丰知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 朱广存
地址 250000 山东省济南市高新技术产业开发区孙村片区科远路1659号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型涉及一种二极管，具体为一种高压硅堆二极管，包括椭圆形的玻璃体，所述的玻璃体的内部设置有晶片，所述的晶片两端通过焊片分别固定有一个钼粒，所述钼粒的一端与晶片相连接，所述钼粒的另一端设置有焊片，所述的焊片固定有引线。本实用新型的高压硅堆二极管，采用多个晶粒串联，反向电压可达到1万伏以上，晶片表面镀铝，在晶片与焊片之间加设有一个钼粒，采用钼粒作为缓冲层，钼粒与晶粒的热膨胀系数接近，在温度突变时可以缓冲因热胀冷缩带来的内应力，确保晶粒不失效，极大的提高了产品的可靠性；同时晶片外面采用玻璃作为钝化层，结温可以到175度。