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芯片的切割成型方法以及晶圆

基本信息

申请号 CN202010122841.5 申请日 -
公开（公告）号 CN111298853B 公开（公告）日 2021-08-10
申请公布号 CN111298853B 申请公布日 2021-08-10
分类号 B01L3/00（2006.01）I;B81C1/00（2006.01）I;B81C99/00（2010.01）I 分类 一般的物理或化学的方法或装置;
发明人 聂泳忠;刘晓敏;林祖鉴;林灿辉;陈世伟;赖凯昌;王津鑫;叶新文 申请（专利权）人 西人马联合测控（泉州）科技有限公司
代理机构 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 代理人 臧静
地址 362000福建省泉州市洛江区双阳街道新南社区
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种芯片的切割成型方法以及晶圆，切割成型方法包括如下步骤：提供阵列基体，包括底板、分布于底板的导槽及多个具有孔道的芯片单元，导槽与各芯片单元的孔道连通，底板具有与导槽间隔设置的底面以及环绕底面设置的外周面，导槽贯穿外周面并形成开口；在底板上键合盖板并共同形成待灌注体。由导槽的开口向待灌注体内注入呈液体状态的填充材料，使得填充材料至少填充于各芯片单元的孔道并固化，形成晶圆；切割晶圆并形成多个切割体，去除各切割体的填充材料，以成型具有孔道的芯片。本发明实施例提供的芯片的切割成型方法以及晶圆，能够满足芯片的切割成型要求，同时能够避免碎屑进入芯片的孔道内，保证芯片的性能。