基于层理发育储层的约束滤波校正电阻率的方法
基本信息
| 申请号 | CN202110219342.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112882112A | 公开（公告）日 | 2021-06-01 |
| 申请公布号 | CN112882112A | 申请公布日 | 2021-06-01 |
| 分类号 | G01V3/18;G01V3/38 | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 廖勇;曾芙蓉;李光泉;田海涛;陈四平;冯爱国;蒋恕;饶海涛;沈金才;何浩然;石文睿;张新华;季运景;曾保林;石元会;陈国辉;汪钰波;叶鑫 | 申请（专利权）人 | 中石化江汉石油工程有限公司测录井公司 |
| 代理机构 | 武汉开元知识产权代理有限公司 | 代理人 | 涂洁 |
| 地址 | 100728 北京市朝阳区朝阳门北大街22号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基于层理发育储层的约束滤波校正电阻率的方法，解决了现有层理发育储层的电阻率往往呈现低阻尖峰状，严重影响西门杜公式计算含水饱和度的精度。方法包括1）获取待计算井层理发育储层段的测井资料；2）计算滤波偏移系数RTFO；3）得到校正后的电阻率RTT和4）输出计算结果。本发明方法能够有效校正层理发育储层的电阻率，为层理发育储层的含水饱和度精细计算提供关键参数，操作简便、适用范围广。 |
