一种玻璃结构薄膜太阳能电池及制备方法
基本信息
申请号 | CN201510476916.9 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN105185861A | 公开(公告)日 | 2015-12-23 |
申请公布号 | CN105185861A | 申请公布日 | 2015-12-23 |
分类号 | H01L31/075(2012.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 陈志强;马明一;黄超;黄力;李嵩;殷绍睿 | 申请(专利权)人 | 辽宁国灿供电有限公司 |
代理机构 | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) | 代理人 | 辽宁恒华航海电力设备工程有限公司 |
地址 | 114000 辽宁省鞍山市高新区越岭路262号西座3层 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明涉及一种本征层可调带隙且具有量子阱结构的玻璃结构薄膜太阳能电池及制备方法。该电池从上到下依次包括金属Ag电极、ITO透明导电薄膜、N型InGaN薄膜、可调带隙的量子阱InxGa1-xN本征层、P型InGaN薄膜、GZO透明导电薄膜、BCN绝缘保护层和普通玻璃衬底,其中InxGa1-xN中x的取值为0~1。本发明在制备过程中,改变传统Si太阳能电池材料和结构,引入具有带隙可调的InxGa1-xN量子阱本征晶体薄膜作为太阳能电池材料,InxGa1-xN材料具有稳定好,耐腐蚀且具有隧穿势垒以及低的光损系数,提高了电池的转化效率。其次采用了GZO透明薄膜作为透明导电电极,增加了薄膜太阳能电池的透光率同时提高了透明电极的耐腐蚀性能,使得薄膜太阳能电池的光电转换效率得到了很大的提高。 |
