一种In<sub>X</sub>Ga<sub>1-X</sub>N玻璃结构薄膜太阳能电池专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种In_XGa_1-XN玻璃结构薄膜太阳能电池

基本信息

申请号	CN201520586383.5	申请日	-
公开（公告）号	CN204857758U	公开（公告）日	2015-12-09
申请公布号	CN204857758U	申请公布日	2015-12-09
分类号	H01L31/075(2012.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	陈志强;马明一;黄超;黄力;李嵩;殷绍睿	申请（专利权）人	辽宁国灿供电有限公司
代理机构	沈阳维特专利商标事务所（普通合伙）	代理人	辽宁恒华航海电力设备工程有限公司
地址	114000 辽宁省鞍山市高新区越岭路262号西座3层
法律状态	-

摘要

本实用新型属于一种玻璃衬底太阳能电池制造技术领域，特别涉及一种本征层可调带隙且具有量子阱结构的In_XGa_1-XN玻璃基片薄膜太阳能电池，从上到下依次包括金属Ag电极、第一透明导电薄膜、N型InGaN薄膜、可调带隙的量子阱In_xGa_1-xN本征层、P型InGaN薄膜、第二透明导电薄膜、绝缘保护层、普通玻璃衬底，其中可调带隙的量子阱In_xGa_1-xN本征层中x的取值为0～1范围。本新型结构的太阳能电池的模型。改变传统Si太阳能电池材料和结构，引入具有带隙可调的In_xGa_1-xN量子阱本征晶体薄膜作为太阳能电池材料，In_xGa_1-xN具有稳定好，耐腐蚀且具有隧穿势垒以及低的光损系数，提高了电池的转化效率。