一种宏通道垂直腔面发射半导体激光器
基本信息
| 申请号 | CN201920037365.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN209401977U | 公开（公告）日 | 2019-09-17 |
| 申请公布号 | CN209401977U | 申请公布日 | 2019-09-17 |
| 分类号 | H01S5/024（2006.01）I; H01S5/183（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 华俊 | 申请（专利权）人 | 西安欧益光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京巨弘知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 西安欧益光电科技有限公司 |
| 地址 | 710021 陕西省西安市经济技术开发区草滩生态产业园尚苑路4955号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供一种宏通道垂直腔面发射半导体激光器，包括激光模块(1)和热沉模块(2)，热沉模块(2)包括热沉主体(21)，设置于热沉主体(21)下端的左右两侧的进水孔(22)、出水孔(23)，设置在热沉主体(21)中部，用于分隔进水孔(22)、出水孔(23)的隔板(24)，隔板(24)下端与热沉主体(21)密封连接，隔板(24)上端与热沉主体(21)顶部存在间隙，用于形成水通道。本实用新型提供的宏通道垂直腔面发射半导体激光器设计了一种新的热沉结构，提高激光器散热效率，外形小巧，结构简单。 |
