一种下沉式真空腔体

基本信息

申请号 CN202111640869.9 申请日 -
公开(公告)号 CN114481081A 公开(公告)日 2022-05-13
申请公布号 CN114481081A 申请公布日 2022-05-13
分类号 C23C14/56(2006.01)I;C23C16/54(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I 分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人 张俊峰;赵子东;许春立;魏庆瑄 申请(专利权)人 上海子创镀膜技术有限公司
代理机构 上海尊肃专利代理事务所(普通合伙) 代理人 -
地址 201506上海市金山区金山工业区金飞路808号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明属于真空镀膜设备技术领域,具体公开了一种下沉式真空腔体,包括底板,底板边沿的顶部均固接有侧板,侧板的顶端设有沿口板,位于左侧的侧板上设有抽气口和支撑臂,四个侧板围成的空腔内下沉有盖板,盖板底部两侧安装有放气挡板,放气挡板两侧均设有一排气孔;盖板的顶部固接有盖板下沉板;盖板下沉板的顶部固接有围板,盖板下沉板的两侧顶部均设有快速放气进气口和软放气进气口;盖板下沉板的顶部固接有盖板翻转臂,盖板翻转臂的一端延伸至围板的外部并与支撑臂连接;位于底板两端的侧板外侧均固接有端板,端板上设有若干固定孔,固定孔内设有紧固螺栓;本发明能够防止充气气流直接充进真空腔体将基片吹起或破碎,且生产效率高。