基于双面铝基板的功率MOSFET并联电路及结构设计专利查询专利号|摘要-满商公司网

基于双面铝基板的功率MOSFET并联电路及结构设计

基本信息

申请号	CN200910070624.X	申请日	-
公开（公告）号	CN102029922B	公开（公告）日	2015-01-21
申请公布号	CN102029922B	申请公布日	2015-01-21
分类号	B60L11/18;H05K1/02;H03K19/094	分类	一般车辆;
发明人	高小二;杜承润;陈鹏	申请（专利权）人	陕西法士特松正电驱系统股份有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	300308 天津市空港经济区西十道一号
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种电动汽车用功率驱动单元的结构设计，具体地说是一种基于双面铝基板的功率MOSFET并联电路的结构设计。本发明针对多个MOSFET并联使用的电路结构特点，设计出了一种新的工艺结构。这种结构是在传统铝基板上层压一双面环氧板，以较小的板面积提供较大的功率密度和良好的热传导性。本发明包括一种双面铝基板的三相并联电路的工艺结构设计，使各汇流区完成对应MOSFET的并联；一种MOSFET与铝基板的导热处理，采用阵列过孔焊盘，使每只功率MOSFET得到和铝基板之间更好的热传导；一种双面铝基板的5层结构；一种输入输出信号的结构设计，使各并联的MOSFET由同一个连接器输入控制信号；一种电源输入及驱动信号输出结构设计，设置了以压接方式连接的端口，采用圆形焊盘，同时采用螺钉紧固的连接方式；一种双面铝基板的电性能特点的结构设计，两块这样的结构并联使输出电流可达到600Arms@2min。