一种低温高生长速率氧化硅薄膜的原子层沉积方法
基本信息
| 申请号 | CN202011049192.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112210769A | 公开（公告）日 | 2021-01-12 |
| 申请公布号 | CN112210769A | 申请公布日 | 2021-01-12 |
| 分类号 | C23C16/40;C23C16/455;C07F7/02 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 芮祥新;汪穹宇;李建恒 | 申请（专利权）人 | 合肥安德科铭半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 宁波中致力专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 合肥安德科铭半导体科技有限公司 |
| 地址 | 230088 安徽省合肥市高新区创新大道106号明珠产业园3号楼5层E区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种低温高生长速率氧化硅薄膜的原子层沉积方法，以双氨基取代的乙硅烷作为前驱体，沉积腔体的温度在整个沉积过程中保持在50℃以下。双氨基取代的乙硅烷常温下为液态，比固态产品更易于纯化和输送，且‑SiH3被臭氧氧化为‑Si(OH)3的反应具有更低的活化势垒，能够在50℃以下沉积反应，并显著提高SiO2薄膜的沉积速率。 |
