一种含Ta薄膜的原子层沉积方法及其产物
基本信息
| 申请号 | CN202010423179.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111534808A | 公开（公告）日 | 2020-08-14 |
| 申请公布号 | CN111534808A | 申请公布日 | 2020-08-14 |
| 分类号 | C23C16/455(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 黄新宇;芮祥新;李建恒 | 申请（专利权）人 | 合肥安德科铭半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 宁波中致力专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 合肥安德科铭半导体科技有限公司 |
| 地址 | 230088安徽省合肥市高新区创新大道106号明珠产业园3号楼5层E区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种含Ta薄膜的原子层沉积方法及其产物，以iPrN＝Ta(NR1R2)3为反应源之一，在200～350℃进行原子层沉积，得到含Ta薄膜；其中，R1、R2为C1～C6烃基。本发明能够在200℃～350℃沉积得到碳含量更低、电子器件性质更好的含Ta薄膜，碳含量更低、电子器件性质更好。 |
