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一种增强型和耗尽型GaN HEMT集成结构

基本信息

申请号	CN201820559173.0	申请日	-
公开（公告）号	CN208028062U	公开（公告）日	2018-10-30
申请公布号	CN208028062U	申请公布日	2018-10-30
分类号	H01L27/085;H01L29/778;H01L21/8252	分类	基本电气元件;
发明人	刘洪刚;孙兵;常虎东	申请（专利权）人	苏州闻颂智能科技有限公司
代理机构	苏州创元专利商标事务所有限公司	代理人	苏州闻颂智能科技有限公司
地址	215600 江苏省苏州市张家港市国泰北路1号科技创业园E幢204(苏州闻颂)
法律状态	-

摘要

本实用新型公开了一种增强型和耗尽型GaN HEMT集成结构，包括：衬底；缓冲层，形成于所述衬底上；所述HEMT集成结构还包括形成于所述缓冲层上的增强型HEMT器件及耗尽型HEMT器件；所述增强型HEMT器件包括形成于所述缓冲层的第一GaN沟道层、形成于所述第一GaN沟道层上的第一势垒层；所述耗尽型HEMT器件包括形成于所述缓冲层的第二GaN沟道层、形成于所述第二GaN沟道层上的第一势垒层；所述HEMT集成结构还包括隔离层，所述隔离层位于所述第一GaN沟道层和所述第二GaN沟道层之间及所述第一势垒层和所述第二势垒层之间以将所述增强型HEMT器件和所述耗尽型HEMT器件相隔离。实现了增强型和耗尽型GaN HEMT器件的单片集成，是完全平面的增强型和耗尽型GaN HEMT集成结构。