一种增强型GaN基HEMT器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201711404647.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108231880B | 公开（公告）日 | 2021-03-05 |
| 申请公布号 | CN108231880B | 申请公布日 | 2021-03-05 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘洪刚;常虎东;孙兵;袁志鹏;肖冬萍 | 申请（专利权）人 | 苏州闻颂智能科技有限公司 |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 孙仿卫 |
| 地址 | 215600江苏省苏州市张家港市国泰北路1号科技创业园E幢204（苏州闻颂） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种增强型GaN基HEMT器件，包括从下往上依次层叠的衬底层、由氮化镓和氮化铝构成的缓冲层、氮化镓沟道层、Al(ln,Ga,Sc)N势垒层、P型帽层、氮化硅钝化层；增强型GaN基HEMT器件还包括：设于P型帽层和Al(ln,Ga,Sc)N势垒层中的N型扩散层；设于Al(ln,Ga,Sc)N势垒层上表面的源电极和漏电极；设于P型帽层上表面的栅电极，栅电极位于源电极和漏电极之间；N型扩散层位于栅电极和漏电极之间以及栅电极和源电极之间。通过在栅漏之间形成耗尽区，使其具有较高的击穿电压。本发明公开一种增强型GaN基HEMT器件的制备方法，将现有技术中依赖于刻蚀工艺的增强型GaN基HEMT器件制作流程中所涉及的P型帽层刻蚀工艺省去，改为离子注入工艺，提高了增强型GaN基HEMT器件制作工艺的一致性。 |
