一种钼基片层改性氢氧化镁及其制备方法和应用
基本信息
| 申请号 | CN202111434797.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114058084A | 公开（公告）日 | 2022-02-18 |
| 申请公布号 | CN114058084A | 申请公布日 | 2022-02-18 |
| 分类号 | C08K9/10（2006.01）I;C08K9/06（2006.01）I;C08K3/22（2006.01）I;C08L27/06（2006.01）I | 分类 | 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物; |
| 发明人 | 徐灵峰;彭鹤松;邹检生;宋波;邱文福;吴维冰;邓克文;贺欣欣 | 申请（专利权）人 | 江西广源化工有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 | 代理人 | 吕永齐 |
| 地址 | 343000江西省吉安市永丰县城南工业园区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于功能粉体技术领域，特别涉及一种钼基片层改性氢氧化镁及其制备方法和应用。本发明提供的钼基片层改性氢氧化镁，包括氢氧化镁内核和包覆所述氢氧化镁内核的钼基片层形成的外壳；所述钼基片层的化学组成为MoX2，X为O、S、Se或Te。在本发明中，钼基片层形成的外壳具备较高的热稳定性，可有效防止钼基片层改性氢氧化镁在应用过程中降解；外壳含有钼元素，具备较强的催化成炭效应，且为片层形貌，应用过程中可增强炭层的稳固性并进一步有效提升物理阻隔效应；钼基片层形成的外壳在聚合物燃烧过程中会吸附聚合物降解的碎片，表面形成的许多微小孔洞结构，作为“微反应器”促使一些聚合物降解碎片碳化，提升阻燃特性。 |
