凹陷缺陷的检测方法以及用于检测凹陷缺陷的晶圆
基本信息
申请号 | CN201711288821.X | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN108010863B | 公开(公告)日 | 2021-10-01 |
申请公布号 | CN108010863B | 申请公布日 | 2021-10-01 |
分类号 | H01L21/66(2006.01)I;G01N21/95(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 冯巍;董思远;郭万里 | 申请(专利权)人 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
地址 | 430205湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明提供一种凹陷缺陷的检测方法以及用于检测凹陷缺陷的晶圆,所述凹陷缺陷的检测方法包括:提供一晶圆,在所述晶圆上形成覆盖层,所述覆盖层的厚度在以上;去除所述覆盖层后,检测所述晶圆上的凹陷缺陷。本发明提供的凹陷缺陷的检测方法以及用于检测凹陷缺陷的晶圆中,通过在晶圆上形成覆盖层,使覆盖层的厚度在以上,在去除覆盖层时,可使得晶圆上具有的凹陷缺陷的尺寸增大,从而可方便的被晶圆检测设备检测出来,从而进行及时有效监控缺陷的发生,减少因此而造成的损失。 |
