凹陷缺陷的检测方法以及用于检测凹陷缺陷的晶圆

基本信息

申请号 CN201711288821.X 申请日 -
公开(公告)号 CN108010863B 公开(公告)日 2021-10-01
申请公布号 CN108010863B 申请公布日 2021-10-01
分类号 H01L21/66(2006.01)I;G01N21/95(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 冯巍;董思远;郭万里 申请(专利权)人 武汉新芯集成电路制造有限公司
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 屈蘅;李时云
地址 430205湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种凹陷缺陷的检测方法以及用于检测凹陷缺陷的晶圆,所述凹陷缺陷的检测方法包括:提供一晶圆,在所述晶圆上形成覆盖层,所述覆盖层的厚度在以上;去除所述覆盖层后,检测所述晶圆上的凹陷缺陷。本发明提供的凹陷缺陷的检测方法以及用于检测凹陷缺陷的晶圆中,通过在晶圆上形成覆盖层,使覆盖层的厚度在以上,在去除覆盖层时,可使得晶圆上具有的凹陷缺陷的尺寸增大,从而可方便的被晶圆检测设备检测出来,从而进行及时有效监控缺陷的发生,减少因此而造成的损失。