半导体器件及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN202110580071.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113488537A | 公开（公告）日 | 2021-10-08 |
| 申请公布号 | CN113488537A | 申请公布日 | 2021-10-08 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L27/02（2006.01）I;H01L21/8234（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 程亚杰;施森华;胡利兵 | 申请（专利权）人 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 周耀君 |
| 地址 | 430205湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供的一种半导体器件及其形成方法中，由于基于层叠的第一栅极和第一掩膜结构对低压器件区执行第一离子注入工艺时，能够利用第一掩膜结构加强对第一栅极区的离子阻挡能力；同时，基于层叠的第二栅极和第二掩膜结构对高压器件区执行第二离子注入工艺时，能够利用第二掩膜结构弥补第二栅极对第二离子注入的离子阻挡能力的不足。进而使得第一栅极和第二栅极的厚度相同时，低压器件区和高压器件区的离子注入性能均较佳，以使高压器件和低压器件的性能均能够得以提升。 |
