半导体器件
基本信息
| 申请号 | CN202011405874.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112542444B | 公开（公告）日 | 2021-09-28 |
| 申请公布号 | CN112542444B | 申请公布日 | 2021-09-28 |
| 分类号 | H01L23/522（2006.01）I;H01L23/48（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 汪恒;徐静静;段念;周俊 | 申请（专利权）人 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 代理机构 | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张晓薇 |
| 地址 | 430205湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件。所述半导体器件包括：半导体衬底；设于所述半导体衬底一侧的第一阱区；设于所述第一阱区内的器件区；贯穿所述半导体衬底和所述第一阱区的硅通孔结构，所述硅通孔结构包括导电层以及环绕所述导电层设置的绝缘层；以及，设于所述第一阱区内，且隔开所述器件区与所述硅通孔结构的第二阱区，所述第一阱区与所述第二阱区的导电类型不同。本发明能够减小硅通孔结构处的寄生电容在相邻器件电气测量中的影响，从而减小电气测量误差。 |
