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集成电路器件制造方法

基本信息

申请号 CN202110791598.0 申请日 -
公开（公告）号 CN113488392A 公开（公告）日 2021-10-08
申请公布号 CN113488392A 申请公布日 2021-10-08
分类号 H01L21/48（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 占琼;胡胜;周俊 申请（专利权）人 武汉新芯集成电路制造有限公司
代理机构 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 田婷
地址 430205湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种集成电路器件制造方法，先刻蚀介质层，以同步形成均未贯穿该介质层的接触开口和虚拟开口，且使得接触开口的宽度大于虚拟开口的宽度，然后形成能够覆盖虚拟开口内表面和接触开口侧壁上的介质层且暴露出接触开口底面的介质层的牺牲层，进而在牺牲层的保护作用下，沿接触开口对介质层进行自对准刻蚀，由此形成与接触开口自对准且暴露出导电结构的表面的自对准接触孔，进而保证了填充在接触开口和自对准接触孔中的接触触点的可靠性，防止接触触点失效的问题。进一步地，还可以在制作接触触点和虚拟触点的整个过程中节省光罩，简化工艺，降低成本。