半导体器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110736494.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113471234A | 公开（公告）日 | 2021-10-01 |
| 申请公布号 | CN113471234A | 申请公布日 | 2021-10-01 |
| 分类号 | H01L27/146（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 薛广杰 | 申请（专利权）人 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 田婷 |
| 地址 | 430205湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供的背照式图像传感器及其制备方法中，由于在相邻的N型结构之间的开槽中生长外延结构的同时在外延结构中掺杂P型离子。进而无需在外延结构完全生长之后执行离子注入工艺，避免出现因开槽深宽比过大而导致的注入效果不佳的问题，从而提升了最终制备而成的半导体器件的性能。 |
