半导体器件及其制作方法、芯片
基本信息
| 申请号 | CN202110736489.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113471158A | 公开（公告）日 | 2021-10-01 |
| 申请公布号 | CN113471158A | 申请公布日 | 2021-10-01 |
| 分类号 | H01L23/48（2006.01）I;H01L23/488（2006.01）I;H01L21/48（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 朱奎;薛广杰 | 申请（专利权）人 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 田婷 |
| 地址 | 430205湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法、芯片，包括：提供第一晶圆，在部分所述第一衬底的表面形成金属硅化物层；形成硅通孔和开孔，开孔贯穿金属硅化物层和部分厚度的第一介质层并暴露出第一金属层；形成焊盘，焊盘形成在硅通孔中并与第一金属层电连接。本发明采用金属硅化物层作为硅通孔的刻蚀停止层，金属硅化物层与第一衬底具有更高的刻蚀选择比，可以增强形成硅通孔工艺中第一衬底的刻蚀量，以避免第一衬底刻蚀不完全导致最终焊盘与第一金属层接触不良甚至断路；本发明开孔工艺只涉及金属硅化物层和第一介质层,相比于传统结构，金属硅化物层的厚度具有更好的均匀性，从而工艺更好控制，有效避免第一金属层损伤。 |
